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IXGH22N50B	文件：68.92 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFASTIGBT VCES=500V IC(25)=44A VCE(sat)typ=2.1V tfi(typ)=55ns Features •InternationalstandardpackagesJEDECTO-247SMDsurfacemountableandJEDECTO-247AD •HighfrequencyIGBT •Highcurrenthandlingcapability •HiPerFASTTMHDMOSTMprocess •MOSGateturn-on	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXTH22N50P	文件：349.51 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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IXTQ22N50P	文件：203.96 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVTMPowerMOSFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features Internationalstandardpackages UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages Easytomount Spacesavings Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTV22N50P	文件：280.98 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTO-220Fpackaging •Withlowgatedriverequirements •Easytodrive •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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详细参数

型号：
SSH22N50A
功能描述：
MOSFET NCh/500V/22a/0.25Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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