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SSH70N10A	文件：262.38 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Power MOSFET FEATURES ■ Avalanche Rugged Technology ■ Rugged Gate Oxide Technology ■ Lower Input Capacitance ■ Improved Gate Charge ■ Extended Safe Operating Area ■ 175°C Operating Temperature ■ Lower Leakage Current : 10 μA (Max.) @ VDS = 100V ■ Lower RDS(ON) : 0.018 Ω (Typ.) 文件：262.38 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
SSH70N10A	文件：278.25 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：278.25 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SSP70N10A	文件：641.67 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：641.67 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
SSP70N10A	文件：923.54 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 文件：923.54 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SSP70N10A	文件：280.76 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：280.76 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

详细参数

型号：
SSH70N10A
功能描述：
MOSFET NCh/100V/70a/.023Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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