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IRFP22N50A	文件：103.56 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)max=0.23ohm,Id=22A) Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptIblePowerSupply HighSpeedPowerSwitching Benefits LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent	IRF International Rectifier	IRF
IRFP22N50A	文件：321.15 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanchevoltage andcurrent •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP22N50APBF	文件：342.34 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP22N50APBF	文件：191.67 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET(VDSS=500V,RDS(on)max=0.23廓,ID=22A) Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptIblePowerSupply HighSpeedPowerSwitching Lead-Free Benefits LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCur	IRF International Rectifier	IRF
IRP22N50A	文件：281.36 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS) •UninterruptablePowerS	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRP22N50APBF	文件：281.36 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS) •UninterruptablePowerS	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IXFH22N50P	文件：336.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=22A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.27Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH22N50P	文件：182.5 Kbytes Page：5 Pages	PolarPowerMOSFETHiPerFET Polar™PowerMOSFETHiPerFET™ N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicDiode Features •InternationalStandardPackages •AvalancheRated •FastIntrinsicDiode •LowPackageInductance Advantages •HighPowerDensity •EasytoMount •SpaceSavings Applications •Swit	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFV22N50P	文件：182.5 Kbytes Page：5 Pages	PolarPowerMOSFETHiPerFET Polar™PowerMOSFETHiPerFET™ N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicDiode Features •InternationalStandardPackages •AvalancheRated •FastIntrinsicDiode •LowPackageInductance Advantages •HighPowerDensity •EasytoMount •SpaceSavings Applications •Swit	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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详细参数

型号：
SSH22N50A
功能描述：
MOSFET NCh/500V/22a/0.25Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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