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IXTQ22N50P中文资料艾赛斯数据手册PDF规格书

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厂商型号

IXTQ22N50P

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode

文件大小

200.68 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

IXYS

中文名称

艾赛斯

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-9 23:00:00

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IXTQ22N50P规格书详情

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

特性 Features

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS) rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Advantages

Easy to mount

Space savings

High power density

产品属性

  • 型号:

    IXTQ22N50P

  • 功能描述:

    MOSFET 22.0 Amps 500 V 0.27 Ohm Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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