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SIHG20N50C	文件：189.26 Kbytes Page：8 Pages	High Peak Current Capability FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • Low Figure-of-Merit Ron x Qg • 100 Avalanche Tested • High Peak Current Capability • dV/dt Ruggedness • Improved Trr/Qrr • Improved Gate Charge • High Power Dissipations Capability • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：189.26 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIHG20N50C	文件：320.43 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 20A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.27Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive · DC-DC converter · Power switch and solenoid drive 文件：320.43 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SIHG20N50C-E3	文件：187.36 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • Low Figure-of-Merit Ron x Qg • 100 Avalanche Tested • High Peak Current Capability • dV/dt Ruggedness • Improved Trr/Qrr • Improved Gate Charge • High Power Dissipations Capability • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：187.36 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIHG20N50E	文件：208.01 Kbytes Page：10 Pages	E Series Power MOSFET FEATURES • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low input capacitance (Ciss) • Reduced switching and conduction losses • Low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • Comput 文件：208.01 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIHG20N50E_V01	文件：208.01 Kbytes Page：10 Pages	E Series Power MOSFET FEATURES • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low input capacitance (Ciss) • Reduced switching and conduction losses • Low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • Comput 文件：208.01 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SiHG20N50C	文件：198 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：198 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIHG20N50C	文件：420.9 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：420.9 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SIHG20N50C_17	文件：198 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：198 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIHG20N50C_V01	文件：219.58 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：219.58 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIHG20N50C-E3	文件：219.58 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：219.58 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

详细参数

型号：
SIHG20N50
功能描述：
MOSFET 560V 20A 292W 270mohm @ 10V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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