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E Series Power MOSFET 文件：176.86 Kbytes 页数：9 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：444.77 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
Power MOSFET ·Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition\n·Low Figure-of-Merit Ron x Qg\n·100 % Avalanche Tested; | Vishay 威世 | Vishay | ||
E Series Power MOSFET ·Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg\n·Low input capacitance (Ciss)\n·Reduced switching and conduction losses; | Vishay 威世 | Vishay |
详细参数
- 型号：
SIHG20N50
- 功能描述：
MOSFET 560V 20A 292W 270mohm @ 10V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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更新时间2026-2-4 17:31:00
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