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RM120N40LD	文件：734.47 Kbytes Page：9 Pages	丝印：120N40；Package：TO-252-2L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The RM120N40LD uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =40V,ID =120A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche volta 文件：734.47 Kbytes 页数：9 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RM120N40LD	文件：714.04 Kbytes Page：7 Pages	丝印：120N40；Package：TO-252-2L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The RM120N40LD uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =40V,ID =120A RDS(ON) 文件：714.04 Kbytes 页数：7 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RM120N40LDV	文件：734.47 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The RM120N40LD uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =40V,ID =120A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche volta 文件：734.47 Kbytes 页数：9 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RM120N85AT2	文件：1.29669 Mbytes Page：7 Pages	丝印：120N85；Package：TO-220-3L；N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The RM120N85AT2 uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for hig 文件：1.29669 Mbytes 页数：7 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RM121K	文件：34.04 Kbytes Page：1 Pages	R. F. Molded Chokes [Ohmite Mfg. Co.] 文件：34.04 Kbytes 页数：1 Pages	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
RM122K	文件：34.04 Kbytes Page：1 Pages	R. F. Molded Chokes [Ohmite Mfg. Co.] 文件：34.04 Kbytes 页数：1 Pages	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
RM123	文件：695.16 Kbytes Page：5 Pages	丝印：SA；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Features VDS = 100V,I D = 0.17A RDS(ON) 文件：695.16 Kbytes 页数：5 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RM12BJA-15P	文件：795.01 Kbytes Page：15 Pages	RM SERIES SHELL SIZE 12-31mm CIRCULAR CONNECTORS RM SERIES SHELL SIZE 12-31mm CIRCULAR CONNECTORS 文件：795.01 Kbytes 页数：15 Pages	HIROSEHirose Electric Company 广濑日本广濑电机株式会社	HIROSE
RM12BJA-15S	文件：795.01 Kbytes Page：15 Pages	RM SERIES SHELL SIZE 12-31mm CIRCULAR CONNECTORS RM SERIES SHELL SIZE 12-31mm CIRCULAR CONNECTORS 文件：795.01 Kbytes 页数：15 Pages	HIROSEHirose Electric Company 广濑日本广濑电机株式会社	HIROSE
RM12BPA-15P	文件：795.01 Kbytes Page：15 Pages	RM SERIES SHELL SIZE 12-31mm CIRCULAR CONNECTORS RM SERIES SHELL SIZE 12-31mm CIRCULAR CONNECTORS 文件：795.01 Kbytes 页数：15 Pages	HIROSEHirose Electric Company 广濑日本广濑电机株式会社	HIROSE

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技术参数

Lef [mm] *：
56.6
Aef [mm2] *：
146
Vef [mm3] *：
8340
AL [nH/turns2]：
5600±25%
Gap [µm]：
ungapped
µe：
≈1700
ROHS：
v

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