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RM120N85AT2中文资料RECTRON数据手册PDF规格书

RM120N85AT2
厂商型号

RM120N85AT2

功能描述

N-Channel Super Trench Power MOSFET

丝印标识

120N85

封装外壳

TO-220-3L

文件大小

1.29669 Mbytes

页面数量

7

生产厂商 Rectron Semiconductor
企业简称

RECTRON

中文名称

Rectron Semiconductor官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-24 17:29:00

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RM120N85AT2规格书详情

Description

The RM120N85AT2 uses Super Trench technology that is

uniquely optimized to provide the most efficient high

frequency switching performance. Both conduction and

switching power losses are minimized due to an extremely

low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for

high-frequency switching and synchronous rectification.

General Features

VDS =85V,ID =120A

RDS(ON) <6.0mΩ @ VGS=10V

Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)

Very low on-resistance RDS(on)

Pb-free lead plating

100 UIS tested

Application

DC/DC Converter

Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

Halogen-free

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