首页>RJH60F6BDPQ-A0>规格书详情
RJH60F6BDPQ-A0分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
RJH60F6BDPQ-A0 |
| 参数属性 | RJH60F6BDPQ-A0 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 85A 297.6W TO-247A |
| 功能描述 | 600V - 45A - IGBT High Speed Power Switching |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
101.99 Kbytes |
| 页面数量 |
9 页 |
| 生产厂商 | RENESAS |
| 中文名称 | 瑞萨 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-7 23:00:00 |
| 人工找货 | RJH60F6BDPQ-A0价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
RJH60F6BDPQ-A0规格书详情
特性 Features
Low collector to emitter saturation voltage
VCE(sat)= 1.35 V typ. (at IC= 45 A, VGE= 15 V, Ta = 25°C)
Built in fast recovery diode in one package
Trench gate and thin wafer technology
High speed switching
tf= 74 ns typ. (at IC= 30 A, VCE= 400 V, VGE= 15 V, Rg = 5 , Ta = 25°C, inductive load)
产品属性
- 产品编号：
RJH60F6BDPQ-A0#T0
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.75V @ 15V，45A
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
58ns/131ns
- 测试条件：
400V，30A，5 欧姆，15V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247A
- 描述：
IGBT 600V 85A 297.6W TO-247A
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
5378 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-247A |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
Renesas Electronics America |
2022+ |
TO-247A |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
2447 |
TO-247 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
Renesas(瑞萨) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
NORDIC |
24+ |
QFN20 |
8000 |
原装正品价格优势!欢迎询价QQ:385913858TEL:15 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-247A |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
TO-247 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-247 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
24+ |
N/A |
60000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 |
