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RJH60F6BDPQ-A0	文件：101.99 Kbytes Page：9 Pages	600V - 45A - IGBT High Speed Power Switching Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.35 V typ. (at IC= 45 A, VGE= 15 V, Ta = 25°C) Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin wafer technology High speed switching tf= 74 ns typ. (at IC= 30 A, VCE= 400 V, VGE= 15 V, Rg = 5 , 文件：101.99 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F6BDPQ-A0_15	文件：101.99 Kbytes Page：9 Pages	600V - 45A - IGBT High Speed Power Switching 文件：101.99 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F6BDPQ-A0#T0	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 85A 297.6W TO-247A	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
RJH60F7DPQ	文件：0 bytes Page：0 Pages	RENESAS TO247	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
RJJ0319DSP	文件：0 bytes Page：0 Pages	RENESAS SOP-8	RENESAS 瑞萨上传：深圳市凯斯宇科技有限公司	RENESAS

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更多RJH60F6BDPQ-A0供应商更新时间2021-9-14 10:50:00