N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 60V, ID= 30A RDS(ON)

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Bychip

百域芯

16A, 50V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件：897.13 Kbytes 页数：6 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

16A, 50V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

文件：226.37 Kbytes 页数：8 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

N 沟道逻辑电平功率 MOSFET 50V，16A，47mΩ

这些N沟道逻辑电平功率MOSFET使用MegaFET工艺制造。 这种工艺使用接近LSI集成电路的特征尺寸，优化了硅原料利用率，可以带来出色的性能。 这些器件设计用于逻辑电平(5V)驱动源，适用于可编程控制器、车用开关、开关稳压器、开关转换器、电机继电器驱动器和双极晶体管发射极开关等应用。 这种性能通过一个特殊的栅极氧化设计来实现，在栅极偏置范围为3V到5V时提供完整的额定电导，从而可以通过逻辑电路电源电压直接实现真正的开-关电源控制。 以前的开发类型为TA09871。 •16A, 50V\n•rDS(ON)= 0.047Ω\n•UIS SOA等级曲线（单脉冲）\n•针对5V栅极驱动优化的设计\n•可直接从CMOS、NMOS、TTL电路驱动\n•SOA为有限功耗\n•纳秒开关速度\n•线性传递特性\n•高输入阻抗\n•多数载流子器件\n•相关文献;

ONSEMI

安森美半导体

N 沟道，功率 MOSFET，50V，16A，47mΩ

RFD16N05和RFD16N05SM N沟道MOSFET是利用MegaFET工艺制造而成的。 这种工艺使用接近LSI集成电路的特征尺寸，优化了硅原料利用率，可以带来出色的性能。 这些器件设计用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动和继电器驱动器等应用。 此类晶体管可以直接通过集成电路运行。 以前的开发类型为TA09771。 •16A, 50V\n•rDS(ON)= 0.047Ω\n•温度补偿式PSPICE模型\n•峰值电流与脉宽曲线\n•UIS额定值曲线\n•175°C工作温度\n•相关文献;

ONSEMI

安森美半导体