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RTM2301CX	文件：465.63 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •PASwitch •DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
S2301	文件：1.02155 Mbytes Page：13 Pages	N-channelSiCpowerMOSFETbaredie	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
S2301	文件：870.18 Kbytes Page：12 Pages	N-channelSiCpowerMOSFETbaredie	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
SD2301	文件：464.68 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •PASwitch •DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SDB2301	文件：170.03 Kbytes Page：4 Pages	Highspeedswitching	AUK AUK corp	AUK
SDB2301F	文件：37.19 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiode Features •LowVF:Max.0.45V@IF=1A •Forswitchingpowersupply	AUK AUK corp	AUK
SE2301	文件：434.57 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威伦威伦电子股份有限公司	WILLAS
SGM2301	文件：349.17 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMos.FET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SI2301	文件：242.42 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •-20V,-2.8A,RDS(ON)=120mΩ@VGS=-4.5V RDS(ON)=150mΩ@VGS=-2.5V •HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON) •Ruggedandreliable •HighSpeedSwitching •SOT-23Package •MarkingCode:S1 •Epox	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
SI2301	文件：330.46 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

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