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S2301

N-channel SiC power MOSFET bare die

文件:1.02155 Mbytes 页数:13 Pages

ROHM

罗姆

S2301

N-channel SiC power MOSFET bare die

文件:870.18 Kbytes 页数:12 Pages

ROHM

罗姆

S2301

N-channel SiC(碳化硅)功率MOSFET Bare die

S2301是基于SiC的平面型MOSFET。其特征是高耐压、低导通电阻、高速开关。\n\n关于Bare Die的销售请向本公司销售部门咨询规格。现在尚未进行网络销售及经由网络公司进行销售。 · Low ON resistance\n· Fast switching speed\n· Fast revese recovery\n· Easy to parallel\n· Simple to drive;

ROHM

罗姆

S2301

吸盘天线(S2301)

STARF

思大射频

STARF

S2301_16

N-channel SiC power MOSFET bare die

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ROHM

罗姆

S2301C

场效应管

世谋微电子提供采用各种电路配置和封装的低VDSS和中/高VDSS MOSFET产品组合,其特点是高速度、高性能、低损耗、低导通电阻、小封装等。被广泛应用到消费电子、计算机及外设、网络通信,汽车电子、LED显示屏等领域。

SUMSEMI

世谋微电子

技术参数

  • RoHS:

    Yes

  • Drain-source Voltage[V]:

    1200

  • Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]:

    80

  • Generation:

    2nd Gen

  • Drain Current[A]:

    40

  • Junction Temperature(Max.)[°C]:

    175

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    175

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更多S2301供应商 更新时间2026-1-17 13:57:00