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S2301数据手册ROHM中文资料规格书

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厂商型号

S2301

功能描述

N-channel SiC(碳化硅)功率MOSFET Bare die

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-6 20:00:00

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S2301规格书详情

描述 Description

S2301是基于SiC的平面型MOSFET。其特征是高耐压、低导通电阻、高速开关。

关于Bare Die的销售请向本公司销售部门咨询规格。现在尚未进行网络销售及经由网络公司进行销售。

特性 Features

· Low ON resistance
· Fast switching speed
· Fast revese recovery
· Easy to parallel
· Simple to drive

技术参数

  • 制造商编号

    :S2301

  • 生产厂家

    :ROHM

  • RoHS

    :Yes

  • Drain-source Voltage[V]

    :1200

  • Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

    :80

  • Generation

    :2nd Gen

  • Drain Current[A]

    :40

  • Junction Temperature(Max.)[°C]

    :175

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :175

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SYNAPTI
22+
QFN
100000
代理渠道/只做原装/可含税
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SYNAPTI
25+
SOP20
54658
百分百原装现货 实单必成
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SOT-23
36800
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45000
原装正品现货
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