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RDS070N03	文件：41.25 Kbytes Page：4 Pages	Excellent Resistance to damage from static electricity 文件：41.25 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RXH070N03	文件：1.13228 Mbytes Page：7 Pages	4V Drive Nch MOSFET 文件：1.13228 Mbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
TFS070N03N	文件：4.07506 Mbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description The TFS070N03N uses advanced trench technology to provi de excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other switching application. General Feature VDS =30V , ID =30A RDS(ON) 文件：4.07506 Mbytes 页数：6 Pages	TUOFENG 拓锋半导体	TUOFENG
RDS-10S-74R-508-D	文件：0 bytes Page：0 Pages	CUI Devices N/A	CUI Devices 上传：深圳市跃创芯科技有限公司	CUI Devices
RDS-16S-74R-508-D	文件：0 bytes Page：0 Pages	CUI Devices N/A	CUI Devices 上传：深圳市跃创芯科技有限公司	CUI Devices

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更多RDS070N03供应商更新时间2025-10-9 18:51:00