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LESD8D7.0CAT5G	文件：231.68 Kbytes Page：4 Pages	Marking：R2；Package：SOD-882；Transient Voltage Suppressors for ESD Protection	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LMSZ5272BT1G	文件：602.36 Kbytes Page：6 Pages	Marking：R2；Package：SOD-123；Zener Voltage Regulators 500 mW SOD??23 Surface Mount	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
PJM3402NSA	文件：1.06525 Mbytes Page：7 Pages	Marking：R2；Package：SOT-23；N-Channel MOSFET	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
2SC3356	文件：102.57 Kbytes Page：8 Pages	Marking：R23；Package：SOT-23；MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER(NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR) DESCRIPTION The2SC3356isanNPNsiliconepitaxialtransistordesignedforlownoiseamplifieratVHF,UHFandCATVband. Ithasdynamicrangeandgoodcurrentcharacteristic. FEATURES •LowNoiseandHighGain NF=1.1dBTYP.,Ga=11dBTYP.@VCE=10V,IC=7mA,f=1.0GHz •High	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SC3356	文件：1.06194 Mbytes Page：2 Pages	Marking：R23/R24/R25；Package：SOT-23；Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ●Lownoiseandhighgain. NF=1.1dBTYP.,Ga=11dBTYP. @VCE=10V,IC=7mA,f=1.0GHz ●Highpowergain.MAG=13dBTYP. @VCE=10V,IC=20mA,f=1.0GHz. APPLICATIONS ●DesignedforlownoiseamplifieratVHF,UHFandCATVband.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
2SC3356B	文件：1.33099 Mbytes Page：5 Pages	Marking：R24；Package：SC-59；NPN Silicon RF Transistor FEATURES •LownoiseamplifieratVHF,UHFandCATVband. •LowNoiseandHighGain •HighPowerGain	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SC3356D	文件：1.33099 Mbytes Page：5 Pages	Marking：R25；Package：SC-59；NPN Silicon RF Transistor FEATURES •LownoiseamplifieratVHF,UHFandCATVband. •LowNoiseandHighGain •HighPowerGain	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SC3356-R23	文件：485.28 Kbytes Page：4 Pages	Marking：R23；Package：SOT23-3L；NPN Transistors Features ●Lownoiseandhighgain. NF=1.1dBTyp.,Ga=11dBTyp.@VCE=10V,IC=7mA,f=1.0GHz ●Highpowergain. MAG=13dBTyp.@VCE=10V,IC=20mA,f=1.0GHz	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
2SC3356-R23	文件：1.21418 Mbytes Page：4 Pages	Marking：R23；Package：SOT23；NPN Transistors Features Lownoiseandhighgain. NF=1.1dBTyp.,Ga=11dBTyp.@VCE=10V,IC=7mA,f=1.0GHz Highpowergain. MAG=13dBTyp.@VCE=10V,IC=20mA,f=1.0GHz	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
2SC3356-R24	文件：1.21418 Mbytes Page：4 Pages	Marking：R24；Package：SOT23；NPN Transistors Features Lownoiseandhighgain. NF=1.1dBTyp.,Ga=11dBTyp.@VCE=10V,IC=7mA,f=1.0GHz Highpowergain. MAG=13dBTyp.@VCE=10V,IC=20mA,f=1.0GHz	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI

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晶体管资料

型号：
R2U
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
SSTA63,
最大耗散功率：
0.625W
放大倍数：
β>5000
图片代号：
H-15
vtest：
30
htest：
999900
atest：
0.5
wtest：
0.625

详细参数

型号：
R2
制造商：
Wieland Electric Inc
功能描述：
Electromechanical Relay 230VAC Plug-In

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多R2供应商更新时间2025-5-8 16:47:00

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