首页>PTFB213004F-V2>规格书详情

PTFB213004F-V2数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

PDF无图
厂商型号

PTFB213004F-V2

参数属性

PTFB213004F-V2 封装/外壳为H-37275-6/2;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:IC AMP RF LDMOS

功能描述

High Power RF LDMOS FET300 W, 2110 – 2170 MHz

封装外壳

H-37275-6/2

制造商

MACOM Tyco Electronics

中文名称

玛科姆技术方案控股有限公司

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-8-8 22:30:00

人工找货

PTFB213004F-V2价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

PTFB213004F-V2规格书详情

描述 Description

The PTFB213004F is a 300-watt LDMOS FET designed for class AB operation in cellular amplifiers covering the 2110 to 2170 MHz frequency band. Features include high peak power, input and output match, and a thermally-enhanced, open-cavity earless ceramic package.

特性 Features

• Broadband internal matching
• Enhanced for use in DPD error correction systems
• Wide video bandwidth
• Typical single-carrier WCDMA performance at 2170 MHz, 30 V
• POUT = 49.5 dBm Avg
• Gain = 17.5 dB
• Efficiency = 30%
• Increased negative gate-source voltage range for improved performance in Doherty amplifiers
• Capable of handling 10:1 VSWR @ 30 V, 300 W (CW) output power
• Excellent thermal stability
• Integrated ESD protection
• Pb-free and RoHS-compliant

技术参数

  • 制造商编号

    :PTFB213004F-V2

  • 生产厂家

    :MACOM

  • Application

    :Telecom

  • Typical Power (PSAT)

    :60

  • Operating Voltage

    :30 V

  • Frequency

    :2.11 - 2.17 GHz

  • Package Type

    :Earless

  • Efficiency

    :26.5 %

  • Gain

    :18 dB

  • Technology

    :LDMOS

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEO
24+
H-37275
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
询价
INFINEON
1844+
NA
9852
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
询价
INFINEON/英飞凌
23+
NA
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
询价
Infineon Technologies
22+
H372756/2
9000
原厂渠道,现货配单
询价
INFINEO
23+
H-37275
8560
受权代理!全新原装现货特价热卖!
询价
Infineon Technologies
23+
H372756/2
8000
只做原装现货
询价
Cree/Wolfspeed
2022+
H-37275-6/2
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
Wolfspeed Inc.
25+
H-37275-6/2
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
询价
INFINEON/英飞凌
24+
H-37275-6
60000
全新原装现货
询价
INFINEON/英飞凌
24+
415
现货供应
询价