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PTFB192503EL-V1-R250数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF
PTFB192503EL-V1-R250规格书详情
简介
PTFB192503EL-V1-R250属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PTFB192503EL-V1-R250晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 制造商编号
：PTFB192503EL-V1-R250
- 生产厂家
：Wolfspeed(CREE)
- 频率
：1.99GHz
- 增益
：19dB
- 电压 - 测试
：30V
- 额定电流
：-
- 噪声系数
：-
- 电流 - 测试
：1.9A
- 功率 - 输出
：50W
- 电压 - 额定
：65V
- 封装/外壳
：H-33288-6
- 供应商器件封装
：H-33288-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
1600 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
INFINEO |
24+ |
H-34288 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
INFINEON |
2017+ |
NA |
28562 |
只做原装正品假一赔十! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
H-34288-42 |
20000 |
原装现货,实单支持 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
NA |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
H-34288-4/2 |
8500 |
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
H332886 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
H332886 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
H332886 |
7000 |
询价 |
