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PTFB191501FV1XWSA1数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

厂商型号 |
PTFB191501FV1XWSA1 |
参数属性 | PTFB191501FV1XWSA1 封装/外壳为2-扁平封装,叶片引线,带法兰;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:FET RF LDMOS 150W H37248-2 |
功能描述 | FET RF LDMOS 150W H37248-2 |
封装外壳 | 2-扁平封装,叶片引线,带法兰 |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-3 11:10:00 |
人工找货 | PTFB191501FV1XWSA1价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
PTFB191501FV1XWSA1规格书详情
简介
PTFB191501FV1XWSA1属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PTFB191501FV1XWSA1晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 型号
:ptfb191501fv1xwsa1
- 频率
:1.99GHz
- 增益
:18dB
- 电压 - 测试
:30V
- 额定电流
:-
- 噪声系数
:-
- 电流 - 测试
:1.2A
- 功率 - 输出
:150W
- 电压 - 额定
:65V
- 封装/外壳
:2-扁平封装,叶片引线,带法兰
- 供应商器件封装
:H-37248-2
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
NA |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
H372482 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
H372482 |
7000 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
312 |
现货供应 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
2022+ |
H-37248-2 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
H-37248-2 |
20000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 | ||
INFINEON |
2017+ |
NA |
28562 |
只做原装正品假一赔十! |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
H372482 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 |