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PTFB213004F中文资料High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 300 W, 2110-2170 MHz数据手册Infineon规格书

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厂商型号

PTFB213004F

参数属性

PTFB213004F 封装/外壳为H-37275-6/2;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:IC AMP RF LDMOS

功能描述

High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 300 W, 2110-2170 MHz

封装外壳

H-37275-6/2

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-24 10:19:00

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技术参数

  • 产品编号:

    PTFB213004F-V2-R250

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    2.17GHz

  • 增益:

    18dB

  • 功率 - 输出:

    60W

  • 封装/外壳:

    H-37275-6/2

  • 供应商器件封装:

    H-37275-6/2

  • 描述:

    IC AMP RF LDMOS

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon
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