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PTFB211803EL数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF
| 厂商型号 |
PTFB211803EL |
| 参数属性 | PTFB211803EL 封装/外壳为H-33288-6；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：IC AMP RF LDMOS |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 180 W, 2110 – 2170 MHz |
| 封装外壳 | H-33288-6 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 18:56:00 |
| 人工找货 | PTFB211803EL价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PTFB211803EL规格书详情
简介
PTFB211803EL属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PTFB211803EL晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 产品编号：
PTFB211803ELV1R250XTMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
LDMOS
- 频率：
2.17GHz
- 增益：
17.5dB
- 功率 - 输出：
40W
- 封装/外壳：
H-33288-6
- 供应商器件封装：
H-33288-6
- 描述：
IC AMP RF LDMOS
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
23+ |
INFINEON |
28520 |
原厂授权代理分销现货只做原装正迈科技样品支持现货 |
询价 | ||
INFINEON |
2017+ |
NA |
28562 |
只做原装正品假一赔十! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | |||
Infineon Technologies |
21+ |
H-33288-6 |
20000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2019+ |
SMD |
6992 |
原厂渠道 可含税出货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
H332886 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
NA |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
H-33288-6 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
25+ |
H-33288-6 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 |
