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PTFB212507SH中文资料Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 200 W, 28 V, 2110 – 2170 MHz数据手册Infineon规格书
| 厂商型号 |
PTFB212507SH |
| 参数属性 | PTFB212507SH 包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：IC AMP RF LDMOS |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 200 W, 28 V, 2110 – 2170 MHz |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-24 15:15:00 |
| 人工找货 | PTFB212507SH价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PTFB212507SH规格书详情
简介
PTFB212507SH属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PTFB212507SH晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 产品编号：
PTFB212507SHV1R250XTMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 描述：
IC AMP RF LDMOS
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
高频管 |
8500 |
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
INFINEO |
17+ |
高频管 |
60000 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
9000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
2022+ |
- |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
NA |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
INFINEON TECHNOLOGIES |
24+ |
N/A |
786 |
原装原装原装 |
询价 | ||
INFINEON |
2023+ |
5800 |
进口原装,现货热卖 |
询价 | |||
INFINEON |
15+ |
高频管 |
120 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 |
