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PTFB212507SH

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 200 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

PTFB212507SHV2R2

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 200 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

PTFB212507SHV2R2XTMA1

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 200 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

PTFB212507SHV1R250XTMA1

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:IC AMP RF LDMOS

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

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更多PTFB212507SH供应商 更新时间2024-6-20 10:30:00