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PTFB213208FVV1

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 320 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz

文件:221.81 Kbytes 页数:13 Pages

INFINEON

英飞凌

PTFB213208FVV1R250

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 320 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz

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PTFB213208FVV1R250XTMA1

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 320 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz

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PTFB213208FVV1XWSA1

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 320 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz

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详细参数

  • 型号:

    PTFB213208FVV1

  • 制造商:

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述:

    Trans RF MOSFET N-CH 65V 7-Pin Case H-34275G-6/2 T/R

  • 功能描述:

    RFP-LDMOS 9 - Tape and Reel

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更多PTFB213208FVV1供应商 更新时间2026-2-4 14:07:00