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PTFB241402FV1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Cellular (2300 MHz to 2700 MHz) High Power RF LDMOS FET, 140 W, 30 V, 2300 – 2400 MHz ·Broadband internal matching\n ·Typical CW performance, single side - Output power (1dB compression) = 70 W - Efficiency = 55%\n ·Increased negative gate-source voltage range for improved performance in Doherty amplifiers\n ·Integrated ESD protection\n ·Excellent thermal stability\n ·Capabl;	Infineon 英飞凌	Infineon
PTFB241402FV1R0	文件：810.07 Kbytes Page：13 Pages	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 140 W, 2300 ??2400 MHz 文件：810.07 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
PTFB241402FV1R0XTMA1	文件：810.07 Kbytes Page：13 Pages	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 140 W, 2300 ??2400 MHz 文件：810.07 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
PTFB241402FV1R250	文件：810.07 Kbytes Page：13 Pages	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 140 W, 2300 ??2400 MHz 文件：810.07 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
PTFB241402FV1R250XTMA1	文件：810.07 Kbytes Page：13 Pages	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 140 W, 2300 ??2400 MHz 文件：810.07 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

更多PTFB241402FV1供应商更新时间2025-12-17 9:50:00