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PTFC210202FC	文件：828.24 Kbytes Page：9 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 28 W, 28 V, 1800 – 2200 MHz Description The PTFC210202FC integrates two independent 10-watt LDMOS FETs and is designed for use in cellular amplifier applications in the 2110 to 2170 MHz frequency band. Manufactured with Wolfspeed's advanced LDMOS process, this device provides excellent thermal performance and superior r 文件：828.24 Kbytes 页数：9 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
PTFC210202FC	文件：431.25 Kbytes Page：9 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 文件：431.25 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
PTFC210202FC	文件：655.34 Kbytes Page：9 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 28 W, 28 V, 1800 ??2200 MHz 文件：655.34 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
PTFC210202FC	文件：700.2 Kbytes Page：9 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 28 W, 28 V, 1800 - 2200 MHz 文件：700.2 Kbytes 页数：9 Pages	Cree 科锐	Cree
PTFC210202FC-V1	文件：828.24 Kbytes Page：9 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 28 W, 28 V, 1800 – 2200 MHz Description The PTFC210202FC integrates two independent 10-watt LDMOS FETs and is designed for use in cellular amplifier applications in the 2110 to 2170 MHz frequency band. Manufactured with Wolfspeed's advanced LDMOS process, this device provides excellent thermal performance and superior r 文件：828.24 Kbytes 页数：9 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
PTFC210202FC-V1-R0	文件：828.24 Kbytes Page：9 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 28 W, 28 V, 1800 – 2200 MHz Description The PTFC210202FC integrates two independent 10-watt LDMOS FETs and is designed for use in cellular amplifier applications in the 2110 to 2170 MHz frequency band. Manufactured with Wolfspeed's advanced LDMOS process, this device provides excellent thermal performance and superior r 文件：828.24 Kbytes 页数：9 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
PTFC210202FC-V1-R250	文件：828.24 Kbytes Page：9 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 28 W, 28 V, 1800 – 2200 MHz Description The PTFC210202FC integrates two independent 10-watt LDMOS FETs and is designed for use in cellular amplifier applications in the 2110 to 2170 MHz frequency band. Manufactured with Wolfspeed's advanced LDMOS process, this device provides excellent thermal performance and superior r 文件：828.24 Kbytes 页数：9 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
PTFC210202FC_16	文件：655.34 Kbytes Page：9 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 28 W, 28 V, 1800 ??2200 MHz 文件：655.34 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
PTFC210202FCV1R0	文件：655.34 Kbytes Page：9 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 28 W, 28 V, 1800 ??2200 MHz 文件：655.34 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
PTFC210202FCV1R0XTMA1	文件：655.34 Kbytes Page：9 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 28 W, 28 V, 1800 ??2200 MHz 文件：655.34 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Matching ：
I/O
Frequency Band min max：
1800.0MHz 2200.0MHz
P1dB ：
28.0W
Supply Voltage ：
28.0V
Pout ：
5.0W
Gain ：
21.0dB
Test Signal ：
WCDMA

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