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PSMN1R7-40YLD	文件：307.27 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 40 V, 1.8 mΩ, 200 A logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPower-S3 Schottky-Plus technology 1.Generaldescription 200A,logiclevelgatedriveN-channelenhancementmodeMOSFETin175°CLFPAK56package usingadvancedTrenchMOSSuperjunctiontechnology.Thisproducthasbeendesignedand qualifiedforhighperformancepowerswitchingapplications. 2.Featuresandbenefits •200A	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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PSMN1R7-40YLD

文件：307.27 Kbytes

Page：13 Pages

N-channel 40 V, 1.8 mΩ, 200 A logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPower-S3 Schottky-Plus technology

1.Generaldescription 200A,logiclevelgatedriveN-channelenhancementmodeMOSFETin175°CLFPAK56package usingadvancedTrenchMOSSuperjunctiontechnology.Thisproducthasbeendesignedand qualifiedforhighperformancepowerswitchingapplications. 2.Featuresandbenefits •200A

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更多PSMN1R7-40YLD供应商更新时间2024-6-21 11:00:00

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