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PSMN2R0-30PL	文件：718.65 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 30 V 2.1 mΩ logic level MOSFET 1.1 General description Logic level N-channel MOSFET in TO220 package qualified to 175 °C. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. 1.2 Features and benefits High efficiency due to low switching and conduction losse 文件：718.65 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PSMN2R0-30PL	文件：220.14 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 30 V 2.1 m廓 logic level MOSFET 文件：220.14 Kbytes 页数：13 Pages	恩XP	恩XP
PSMN2R0-30PL	文件：305.31 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：305.31 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
PSMN2R0-30PL	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel 30 V 2.1 mΩ logic level MOSFET Logic level N-channel MOSFET in TO220 package qualified to 175 °C. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. • High efficiency due to low switching and conduction losses\n• Suitable for logic level gate drive sources;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
TO-220AB
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
30
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
2.1
R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)：
2.8
T_j [max] (°C)：
175
I_D [max] (A)：
100
Q_GD [typ] (nC)：
16
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 4.5 V (nC)：
55
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)：
117
P_tot [max] (W)：
211
Q_r [typ] (nC)：
66
V_GSth [typ] (V)：
1.7
Automotive qualified：
N
C_iss [typ] (pF)：
6810
C_oss [typ] (pF)：
1410
Date：
2010-09-02

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