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PSMN2R5-30YL	文件：985.24 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 30 V 2.4 mΩ logic level MOSFET in LFPAK 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in industrial and communications applications. 1.2 Features and benefits  High efficiency due to low sw 文件：985.24 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PSMN2R5-30YL	文件：189.02 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET 文件：189.02 Kbytes 页数：13 Pages	恩XP	恩XP
PSMN2R5-30YL	文件：240.33 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET 文件：240.33 Kbytes 页数：14 Pages	恩XP	恩XP
PSMN2R5-30YL	文件：417.64 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 30 V 2.4 m廓 logic level MOSFET in LFPAK 文件：417.64 Kbytes 页数：14 Pages	恩XP	恩XP
PSMN2R5-30YL_09	文件：240.33 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET 文件：240.33 Kbytes 页数：14 Pages	恩XP	恩XP
PSMN2R5-30YL_11	文件：417.64 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 30 V 2.4 m廓 logic level MOSFET in LFPAK 文件：417.64 Kbytes 页数：14 Pages	恩XP	恩XP
PSMN2R5-30YL	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel 30 V 2.4 mΩ logic level MOSFET in LFPAK Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in industrial and communications applications. • High efficiency due to low switching and conduction losses\n• Suitable for logic level gate drive sources;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
LFPAK56; Power-SO8
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
30
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
2.4
R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)：
3.16
T_j [max] (°C)：
175
I_D [max] (A)：
100
Q_GD [typ] (nC)：
6.5
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 4.5 V (nC)：
27
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)：
52
P_tot [max] (W)：
88
Q_r [typ] (nC)：
38
V_GSth [typ] (V)：
1.7
Automotive qualified：
N
C_iss [typ] (pF)：
3468
C_oss [typ] (pF)：
710
Date：
2011-03-10

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