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PSMN2R0-30YLE	文件：738.19 Kbytes Page：13 Pages	丝印：2R030；Package：LFPAK；N-channel 30 V 2 m廓 logic level MOSFET in LFPAK 文件：738.19 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PSMN2R0-30YLE_15	文件：229.43 Kbytes Page：13 Pages	-channel 30 V 2 m廓 logic level MOSFET in LFPAK 文件：229.43 Kbytes 页数：13 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PSMN2R0-30YLE	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel 30 V 2 mΩ logic level MOSFET in LFPAK Logic level N-channel MOSFET in LFPAK package qualified to 175 °C. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. • Enhanced forward biased safe operating area for superior linear mode operation\n• Very low Rdson for low conduction losses;	Nexperia 安世	Nexperia
PSMN2R0-30BL	文件：298.8 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：298.8 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
PSMN2R0-30BL	文件：812.92 Kbytes Page：15 Pages	N-channel 30 V 2.1 m廓 logic level MOSFET in D2PAK 文件：812.92 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA

技术参数

Package name：
LFPAK56; Power-SO8
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
30
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
2
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
3.5
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
100
QGD [typ] (nC)：
13.8
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
41
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
87
Ptot [max] (W)：
238
Qr [typ] (nC)：
49.8
VGSth [typ] (V)：
1.7
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
5217
Coss [typ] (pF)：
1014.99994
Release date：
2012-09-21

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