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PSMN2R4-30MLD	文件：724.74 Kbytes Page：13 Pages	丝印：2D430L；Package：LFPAK33；N-channel 30 V, 2.4 m廓 logic level MOSFET in LFPAK33 using NextPowerS3 Technology 文件：724.74 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PSMN2R4-30MLD_15	文件：283.24 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 30 V, 2.4 m廓 logic level MOSFET in LFPAK33 using NextPowerS3 Technology 文件：283.24 Kbytes 页数：13 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PSMN2R4-30MLD	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel 30 V, 2.4 mΩ logic level MOSFET in LFPAK33 using NextPowerS3 Technology Logic level gate drive N-channel enhancement mode MOSFET in an LFPAK33 package. The NextPowerS3 portfolio, utilising Nexperia’s unique “SchottkyPlus” technology, delivers high efficiency and the low spiking performance usually associated with MOSFETs with an integrated Schottky or Schottky-like body • Ultra low QG, QGD and QOSS for high system efficiency, especially at higher switching frequencies\n• Superfast switching with soft-recovery; s-factor > 1\n• Low spiking and ringing for low EMI designs\n• Unique “SchottkyPlus” technology; Schottky-like performance with < 1µA leakage at 25°C\n• Opti;	Nexperia 安世	Nexperia
PSMN2R4-30MLD/1X	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY	NEXPERIA 安世	NEXPERIA

技术参数

Package name：
LFPAK33
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
30
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
2.4
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
3.2
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
70
QGD [typ] (nC)：
5.6
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
16
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
34
Ptot [max] (W)：
91
Qr [typ] (nC)：
23.5
VGSth [typ] (V)：
1.7
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
2176
Coss [typ] (pF)：
1150
Release date：
2013-10-02

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更多PSMN2R4-30MLD供应商更新时间2025-10-15 18:59:00

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