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PSMN2R3-100SSE	文件：339.17 Kbytes Page：13 Pages	Marking：X2E3S10S；Package：SOT1235；N-channel 100 V, 2.3 mOhm MOSFET with enhanced SOA in LFPAK88 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeMOSFETinaLFPAK88packagequalifiedto175°C.Part ofNexperia'sApplicationSpecificMOSFETs(ASFETs)forHotswapandSoftStart.The PSMN2R3-100SSEdeliversverylowRDSonandenhancedsafeoperatingareaperformanceina high-reliability	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PSMN2R3-100SSJ	文件：303.75 Kbytes Page：10 Pages	N-channel100V,2.3mOhmASFETwithenhanceddynamiccurrentsharinginLFPAK88 1.Generaldescription Inhigh-powerapplications,itiscommonpracticetoconnecttwoormoreMOSFETsinparallelto providehighcurrentcapability.Evenwhenthegatesaredrivenfromthesamegatedriver,itcanbe challengingtoensurethatMOSFETssharetheloadcurrentequally. Smalld	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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PSMN2R3-100SSE

文件：339.17 Kbytes

Page：13 Pages

Marking：X2E3S10S；Package：SOT1235；N-channel 100 V, 2.3 mOhm MOSFET with enhanced SOA in LFPAK88

1.Generaldescription N-channelenhancementmodeMOSFETinaLFPAK88packagequalifiedto175°C.Part ofNexperia'sApplicationSpecificMOSFETs(ASFETs)forHotswapandSoftStart.The PSMN2R3-100SSEdeliversverylowRDSonandenhancedsafeoperatingareaperformanceina high-reliability

安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA

PSMN2R3-100SSJ

文件：303.75 Kbytes

Page：10 Pages

N-channel100V,2.3mOhmASFETwithenhanceddynamiccurrentsharinginLFPAK88

1.Generaldescription Inhigh-powerapplications,itiscommonpracticetoconnecttwoormoreMOSFETsinparallelto providehighcurrentcapability.Evenwhenthegatesaredrivenfromthesamegatedriver,itcanbe challengingtoensurethatMOSFETssharetheloadcurrentequally. Smalld

安世安世半导体(中国)有限公司

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多PSMN2R3-100SSE供应商更新时间2025-5-29 14:18:00

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