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PSMN2R3-100SSJ	文件：303.75 Kbytes Page：10 Pages	N-channel 100 V, 2.3 mOhm ASFET with enhanced dynamic current sharing in LFPAK88 1.Generaldescription Inhigh-powerapplications,itiscommonpracticetoconnecttwoormoreMOSFETsinparallelto providehighcurrentcapability.Evenwhenthegatesaredrivenfromthesamegatedriver,itcanbe challengingtoensurethatMOSFETssharetheloadcurrentequally. Smalld	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PSMN2R3-100SSE	文件：339.17 Kbytes Page：13 Pages	N-channel100V,2.3mOhmMOSFETwithenhancedSOAinLFPAK88 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeMOSFETinaLFPAK88packagequalifiedto175°C.Part ofNexperia'sApplicationSpecificMOSFETs(ASFETs)forHotswapandSoftStart.The PSMN2R3-100SSEdeliversverylowRDSonandenhancedsafeoperatingareaperformanceina high-reliability	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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PSMN2R3-100SSJ

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N-channel 100 V, 2.3 mOhm ASFET with enhanced dynamic current sharing in LFPAK88

1.Generaldescription Inhigh-powerapplications,itiscommonpracticetoconnecttwoormoreMOSFETsinparallelto providehighcurrentcapability.Evenwhenthegatesaredrivenfromthesamegatedriver,itcanbe challengingtoensurethatMOSFETssharetheloadcurrentequally. Smalld

安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA

PSMN2R3-100SSE

文件：339.17 Kbytes

Page：13 Pages

N-channel100V,2.3mOhmMOSFETwithenhancedSOAinLFPAK88

1.Generaldescription N-channelenhancementmodeMOSFETinaLFPAK88packagequalifiedto175°C.Part ofNexperia'sApplicationSpecificMOSFETs(ASFETs)forHotswapandSoftStart.The PSMN2R3-100SSEdeliversverylowRDSonandenhancedsafeoperatingareaperformanceina high-reliability

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更多PSMN2R3-100SSJ供应商更新时间2025-7-28 13:26:00

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