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PHPT60610NY	文件：251.36 Kbytes Page：17 Pages	60 V, 10 A NPN high power bipolar transistor 文件：251.36 Kbytes 页数：17 Pages	恩XP	恩XP
PHPT60610PY	文件：248.55 Kbytes Page：17 Pages	60 V, 10 A PNP high power bipolar transistor 文件：248.55 Kbytes 页数：17 Pages	恩XP	恩XP
PHPT61002NYC	文件：718.79 Kbytes Page：15 Pages	丝印：1002NCA；Package：LFPAK56；100V, 2 A NPN high power bipolar transistor 文件：718.79 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PHPT61002NYCLH	文件：249.45 Kbytes Page：15 Pages	丝印：1002NCC；Package：LFPAK56；100 V, 2 A NPN high power bipolar transistor 文件：249.45 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PHPT61002NYCLHX	文件：249.45 Kbytes Page：15 Pages	100 V, 2 A NPN high power bipolar transistor 文件：249.45 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PHPT61002PYC	文件：718.36 Kbytes Page：15 Pages	丝印：1002PCA；Package：LFPAK56；100 V, 2 A PNP high power bipolar transistor 文件：718.36 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PHPT61002PYCLH	文件：261.36 Kbytes Page：15 Pages	丝印：1002PCC；Package：LFPAK56；100 V, 2 A PNP high power bipolar transistor 文件：261.36 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PHPT610030NK	文件：250.25 Kbytes Page：15 Pages	NPN/NPN high power double bipolar transistor 文件：250.25 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
PHPT610030NPK	文件：304.32 Kbytes Page：19 Pages	NPN/PNP high power double bipolar transistor 文件：304.32 Kbytes 页数：19 Pages	恩XP	恩XP
PHPT610035PK	文件：247.95 Kbytes Page：16 Pages	PNP/PNP matched high power double bipolar transistor 文件：247.95 Kbytes 页数：16 Pages	恩XP	恩XP

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技术参数

技术/工艺：
薄膜
阻值：
10Ω
精度：
±0.1%
功率：
1W
温度系数：
±25ppm/℃
工作温度：
cL
安装类型：
SMT
长x宽/尺寸：
3.20 x 1.60mm
封装/外壳：
bE
引脚数：
2Pin
是否无铅：
Yes
系列：
PHP
等级：
消费级
原始制造商：
Vishay Intertechnology
原产国家：
America
认证信息：
RoHS
存储温度：
cL
元件生命周期：
Active
高度：
0.83mm
额定电压：
200V

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更多PHP供应商更新时间2025-11-26 14:17:00

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