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PHPM6B15E60D3	文件：129.15 Kbytes Page：5 Pages	Hybrid Power Module 文件：129.15 Kbytes 页数：5 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
PHPM6B7E60D3	文件：129.15 Kbytes Page：5 Pages	Hybrid Power Module 文件：129.15 Kbytes 页数：5 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
PHPT60406NY	文件：723.53 Kbytes Page：16 Pages	丝印：0406NAB；Package：LFPAK56；40 V, 6 A NPN high power bipolar transistor 文件：723.53 Kbytes 页数：16 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PHPT60406PY	文件：719.26 Kbytes Page：15 Pages	丝印：0406PAB；Package：LFPAK56；40 V, 6 A PNP high power bipolar transistor 文件：719.26 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PHPT60410NY	文件：242.21 Kbytes Page：15 Pages	40 V, 10 A NPN high power bipolar transistor 文件：242.21 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
PHPT60410PY	文件：254.33 Kbytes Page：16 Pages	40 V, 10 A PNP high power bipolar transistor 文件：254.33 Kbytes 页数：16 Pages	恩XP	恩XP
PHPT60415NY_15	文件：253.17 Kbytes Page：17 Pages	40 V, 15 A NPN high power bipolar transistor 文件：253.17 Kbytes 页数：17 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PHPT60603NY	文件：736.41 Kbytes Page：15 Pages	丝印：0603NAB；Package：LFPAK56；60V, 3 A NPN high power bipolar transistor 文件：736.41 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PHPT60603PY	文件：735.8 Kbytes Page：15 Pages	丝印：0603PAB；Package：LFPAK56；60 V, 3 A PNP high power bipolar transistor 文件：735.8 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PHPT60606PY	文件：239.36 Kbytes Page：15 Pages	60 V, 6 A PNP high power bipolar transistor 文件：239.36 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP

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技术参数

Breakdown Voltage V(BR) Volts：
200.00
Clamping Voltage VC Volts：
319.00
Peak Current IPP Amps：
47.00
Leakage Current @ VWM µA：
250.00

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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