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PHB8N50ET	文件：1.10602 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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8N50	文件：67.89 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitchingSpeed	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
8N50	文件：182.47 Kbytes Page：6 Pages	8A,500VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
8N50A	文件：1.03515 Mbytes Page：7 Pages	8A500VN-channelenhancedfieldeffecttransistor	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
8N50H	文件：204.88 Kbytes Page：5 Pages	8A,500VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
AOT8N50	文件：147.37 Kbytes Page：6 Pages	500V,8AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT8N50	文件：305.65 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOTF8N50	文件：296.25 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOTF8N50	文件：147.37 Kbytes Page：6 Pages	500V,8AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOWF8N50	文件：385.8 Kbytes Page：5 Pages	500V,8AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
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FDD8N50NZ	文件：612.79 Kbytes Page：8 Pages	UninterruptiblePowerSupply	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD8N50NZTM	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD8N50NZTM	文件：326.6 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelUniFETTMIIMOSFET?	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD8N50NZTM	文件：612.79 Kbytes Page：8 Pages	UninterruptiblePowerSupply	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP8N50NZ	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP8N50NZ	文件：333.31 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.85Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDP8N50NZ	文件：882.62 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelUniFETTMIIMOSFET500V,8A,850m Features •RDS(on)=770m(Typ.)@VGS=10V,ID=4A •LowGateCharge(Typ.14nC) •LowCrss(Typ.5pF) •100AvalancheTested •Improvedv/dtCapability •ESDImprovedCapability •RoHSCompliant Applications •LCD/LEDTV•UninterruptiblePowerSupply •Lighting•AC-DCPower	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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