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PHB95NQ04LT	文件：345.65 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 7mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：345.65 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
PHB95NQ04LT	文件：90.42 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET 文件：90.42 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PHB95NQ04LT	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET	恩XP	恩XP
PHE426HB6680JR06	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP	KEMETKEMET Corporation 基美上传：深圳市和悦电子贸易有限公司	KEMET
PHILIPPINES	文件：0 bytes Page：0 Pages	模块	AMI 上传：深圳市宏捷佳电子科技有限公司	AMI

详细参数

型号：
PHB95NQ04LT
功能描述：
MOSFET TRENCHMOS(TM) FET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多PHB95NQ04LT供应商更新时间2025-12-11 15:30:00

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