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详细参数

型号：
PHD108NQ03LT /T3
功能描述：
两极晶体管 - BJT TAPE13 PWR-MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多PHD108NQ03LT /T3供应商更新时间2025-5-17 15:48:00

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