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LP137N3T5G	文件：563.52 Kbytes Page：6 Pages	丝印：PF；Package：SOT883；20V P-Channel Enhancement MOSFET VDS = -20V 文件：563.52 Kbytes 页数：6 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
RP130Q451D	文件：510 Kbytes Page：32 Pages	丝印：PF；Package：SOT-343R；LOW NOISE 150mA LDO REGULATOR 文件：510 Kbytes 页数：32 Pages	Ricoh 理光	Ricoh
SMBJ120	文件：279.72 Kbytes Page：4 Pages	丝印：PF；Package：DO-214AA；Surface Mount Transient Voltage Suppressors 文件：279.72 Kbytes 页数：4 Pages	ANOVA 林朋科技	ANOVA
PF/PH0805	文件：332.45 Kbytes Page：10 Pages	CURRENT SENSOR - LOW TCR APPLICATIONS Power Management Applications Current detection for Switching Power Supply Computers, Consumer DC-DC Converter, Battery Pack, Charger, Adaptor FEATURES Halogen-free Epoxy RoHS compliant - Products with lead-free terminations meet RoHS requirements - Pb-glass contain 文件：332.45 Kbytes 页数：10 Pages	YAGEO 国巨	YAGEO
PF/PH1206	文件：332.45 Kbytes Page：10 Pages	CURRENT SENSOR - LOW TCR APPLICATIONS Power Management Applications Current detection for Switching Power Supply Computers, Consumer DC-DC Converter, Battery Pack, Charger, Adaptor FEATURES Halogen-free Epoxy RoHS compliant - Products with lead-free terminations meet RoHS requirements - Pb-glass contain 文件：332.45 Kbytes 页数：10 Pages	YAGEO 国巨	YAGEO
PF0	文件：93.02 Kbytes Page：3 Pages	Axial Leaded Hermetically Sealed Fast Rectifier Diode Description Quick reference data VR = 800 & 1000V IF = 1.8A trr = 300nS IR = 1µA Features ◆ Low reverse recovery time ◆ Glass passivated for hermetic sealing ◆ Low switching losses ◆ Soft, non-snap off, recovery characteristic ◆ Avalanche capability 文件：93.02 Kbytes 页数：3 Pages	SEMTECH 先之科	SEMTECH
PF00105A	文件：62.04 Kbytes Page：11 Pages	MOS FET Power Amplifier Module for AMPS Handy Phone Features • Low voltage operation : 4.6 V • 2 stage amplifier : +8 dBm input • Lead less small package : 0.2 cc • High efficiency : 48 Typ at 1 W • Low power control current : 500 µA Typ 文件：62.04 Kbytes 页数：11 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
PF0030	文件：61.54 Kbytes Page：19 Pages	MOS FET Power Amplifier Features • High stability: Load VSWR = 20 : 1 • Low power control current: 400 µA • Thin package: 5 mmt 文件：61.54 Kbytes 页数：19 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
PF0031	文件：55.63 Kbytes Page：13 Pages	MOS FET Power Amplifier Module for Mobile Phone MOS FET Power Amplifier Module for Mobile Phone Features • High stability: Load VSWR ≈ 20:1 • Low power control current: 400 µA • Thin package: 5 mm t Application PF0031: For NMT900 890 to 925 MHz 文件：55.63 Kbytes 页数：13 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
PF0032	文件：61.54 Kbytes Page：19 Pages	MOS FET Power Amplifier Features • High stability: Load VSWR = 20 : 1 • Low power control current: 400 µA • Thin package: 5 mmt 文件：61.54 Kbytes 页数：19 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi

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技术参数

Package：
TO-220
VDS (V)：
41
VGS ±(V)：
20
ID(A)：
141
VGS(th) (min V)：
2
VGS(th) (max V)：
4
RDS(ON) @ 10V Max. (mΩ)：
168
Qg (nC)：
250
Ciss(pF)：
11000

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市拓亿芯电子有限公司	PF	ISAHAYA	23+	SOT23-3	15000	全新原装现货,价格优势	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	PH	AO/万代	23+	TO-220	69820	终端可以免费供样,支持BOM配单!	询价
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