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LP137N3T5G

丝印:PF;Package:SOT883;20V P-Channel Enhancement MOSFET VDS = -20V

文件:563.52 Kbytes 页数:6 Pages

LRC

乐山无线电

LP137N3T5G

低压功率MOSFET

LRC

乐山无线电

LP20R100S

SOP-8

芯茂微

LP2178A

SOP8L

LANDP/芯茂微

上传:深圳市粤华信科技有限公司

LANDP/芯茂微

LP2178B

SOP8L

LANDP/芯茂微

上传:深圳市粤华信科技有限公司

LANDP/芯茂微

技术参数

  • VDSS (V):

    20

  • VGS(V):

    8

  • ID (A) @TA:

    0.9

  • VGSth Min (V):

    0.4

  • VGSth Max (V):

    1

  • td(on) (ns):

    26

  • td(off) (ns):

    82

  • RDS(ON)Max @VGS/IDS (mΩ):

    310

  • VGS/IDS (V)/(A):

    4.5/0.2

  • Package:

    SOT-883

  • Polarity:

    P-Channel(with ESD)

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专业光电传感器,开关,发射管,发光二极等优势原装现
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更多LP137N3T5G供应商 更新时间2025-12-1 11:06:00