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PF0100Z	文件：1.41881 Mbytes Page：128 Pages	14 channel configurable power management integrated circuit The SMARTMOS PF0100Z AEC Q100 grade 2 automotive power management integrated circuit (PMIC) provides a highly programmable/ configurable architecture, with fully integrated power devices and minimal external components. With up to six buck converters, six linear regulators, RTC supply, and coi 文件：1.41881 Mbytes 页数：128 Pages	恩XP	恩XP
PF0121	文件：51.96 Kbytes Page：12 Pages	MOS FET Power Amplifier Module for GSM Mobile Phone Features • Low power control current: 0.9 mA Typ • High speed switching: 1.5 µsec Typ • Wide power control range: 100 dB Typ Application For GSM CLASS2 890 to 915 MHz 文件：51.96 Kbytes 页数：12 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
PF0140	文件：246.37 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET POWER AMPLIFIER MODULE FOR GSM HANDY PHONE MOS FET Power Amplifier Module for GSM Handy Phone 文件：246.37 Kbytes 页数：7 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
PF01410	文件：25.36 Kbytes Page：4 Pages	MOS FET Power Amplifier Module for GSM Handy Phone Features • 4.8 V operation 2 stage amplifier • Small package • High efficiency : 45 Typ • High speed switching : 1 µsec Application • For GSM class4 890 to 915 MHz 文件：25.36 Kbytes 页数：4 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
PF01410A	文件：25.36 Kbytes Page：4 Pages	MOS FET Power Amplifier Module for GSM Handy Phone Features • 4.8 V operation 2 stage amplifier • Small package • High efficiency : 45 Typ • High speed switching : 1 µsec Application • For GSM class4 890 to 915 MHz 文件：25.36 Kbytes 页数：4 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
PF01411	文件：25.87 Kbytes Page：4 Pages	MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM Handy Phone Features • High gain 3stage amplifier : 0 dBm input • Lead less thin & Small package : 2 mm Max, 0.2cc • High efficiency : 45 Typ at 3.8 W • Wide gain control range : 90 dB Typ Application • For E-GSM class4 880 to 915 MHz • For 4.8V nominal battery use 文件：25.87 Kbytes 页数：4 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
PF01411A	文件：25.87 Kbytes Page：4 Pages	MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM Handy Phone Features • High gain 3stage amplifier : 0 dBm input • Lead less thin & Small package : 2 mm Max, 0.2cc • High efficiency : 45 Typ at 3.8 W • Wide gain control range : 90 dB Typ Application • For E-GSM class4 880 to 915 MHz • For 4.8V nominal battery use 文件：25.87 Kbytes 页数：4 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
PF01411B	文件：26.54 Kbytes Page：4 Pages	MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM Handy Phone Features • High gain 3stage amplifier : 0 dBm input • Lead less thin & Small package : 2 mm Max, 0.2cc • High efficiency : 45 Typ at 35.5 dBm • Wide gain control range : 70 dB Typ Application • For E-GSM class4 880 to 915 MHz • For 3.5 V nominal battery use 文件：26.54 Kbytes 页数：4 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
PF01412	文件：25.87 Kbytes Page：4 Pages	MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM Handy Phone Features • High gain 3stage amplifier : 0 dBm input • Lead less thin & Small package : 2 mm Max, 0.2cc • High efficiency : 45 Typ at 3.8 W • Wide gain control range : 90 dB Typ Application • For GSM class4 890 to 915 MHz • For 5.5V nominal DC/DC converter use 文件：25.87 Kbytes 页数：4 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
PF01412A	文件：25.87 Kbytes Page：4 Pages	MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM Handy Phone Features • High gain 3stage amplifier : 0 dBm input • Lead less thin & Small package : 2 mm Max, 0.2cc • High efficiency : 45 Typ at 3.8 W • Wide gain control range : 90 dB Typ Application • For GSM class4 890 to 915 MHz • For 5.5V nominal DC/DC converter use 文件：25.87 Kbytes 页数：4 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi

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技术参数

Package：
TO-220
VDS (V)：
41
VGS ±(V)：
20
ID(A)：
141
VGS(th) (min V)：
2
VGS(th) (max V)：
4
RDS(ON) @ 10V Max. (mΩ)：
168
Qg (nC)：
250
Ciss(pF)：
11000

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市拓亿芯电子有限公司	PF	ISAHAYA	23+	SOT23-3	15000	全新原装现货,价格优势	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	PH	AO/万代	23+	TO-220	69820	终端可以免费供样,支持BOM配单!	询价
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