MOS FET Power Amplifier Module for Mobile Phone

MOS FET Power Amplifier Module for Mobile Phone Features • High stability: Load VSWR ≈ 20:1 • Low power control current: 400 µA • Thin package: 5 mm t Application PF0031: For NMT900 890 to 925 MHz

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HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

MOS FET Power Amplifier Module for Mobile Phone

MOS FET Power Amplifier Module for Mobile Phone •  High stability: Load VSWR ≈ 20:1\n•  Low power control current: 400 µA\n•  Thin package: 5 mm tApplication\nPF0031: For NMT900 890 to 925 MHz;

HITACHI

日立

包装：散装 类别：连接器，互连器件 插头和插座 描述：FLANGE MNT IEC TWIN FUSED INLET

BULGIN

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