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PD20010-E	文件：240.84 Kbytes Page：13 Pages	RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs Description ThePD20010-EisacommonsourceN-Channel,enhancement-modelateralfield-effectRFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialandindustrialapplications.Itoperatesat13.6Vincommonsourcemodeatfrequenciesofupto1GHz.PD20010-Eboaststheexcell	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
PD20010S-E	文件：240.84 Kbytes Page：13 Pages	RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs Description ThePD20010-EisacommonsourceN-Channel,enhancement-modelateralfield-effectRFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialandindustrialapplications.Itoperatesat13.6Vincommonsourcemodeatfrequenciesofupto1GHz.PD20010-Eboaststheexcell	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
PD20010STR-E	文件：240.84 Kbytes Page：13 Pages	RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs Description ThePD20010-EisacommonsourceN-Channel,enhancement-modelateralfield-effectRFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialandindustrialapplications.Itoperatesat13.6Vincommonsourcemodeatfrequenciesofupto1GHz.PD20010-Eboaststheexcell	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
PD20010TR-E	文件：240.84 Kbytes Page：13 Pages	RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs Description ThePD20010-EisacommonsourceN-Channel,enhancement-modelateralfield-effectRFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialandindustrialapplications.Itoperatesat13.6Vincommonsourcemodeatfrequenciesofupto1GHz.PD20010-Eboaststheexcell	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
PD20010S-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
PD20010STR-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
PD20010TR-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
PNE20010ER	文件：251.25 Kbytes Page：13 Pages	200V,1Ahyperfastrecoveryrectifier	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PNE20010ER-Q	文件：254.17 Kbytes Page：13 Pages	200V,1Ahyperfastrecoveryrectifier 1.Generaldescription Highpowerdensity,hyperfastrecoveryrectifierwithhigh-efficiencyplanartechnology, encapsulatedinasmallandflatleadSOD123WSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •ReversevoltageVR≤200V •ForwardcurrentIF≤1A •Hyp	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PNE20010EXD	文件：253.27 Kbytes Page：13 Pages	200V,1Ahyperfastrecoveryrectifier 1.Generaldescription Highpowerdensity,hyperfastrecoveryrectifierwithhigh-efficiencyplanartechnology, encapsulatedinaCFP2-HP(SOD323HP)powerandflatleadSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Reversevoltage:VR≤200V •Forwardcurrent:I	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

产品属性

产品编号：
PD20010S-E
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
LDMOS
频率：
2GHz
增益：
11dB
额定电流（安培）：
5A
功率 - 输出：
10W
封装/外壳：
PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）
供应商器件封装：
PowerSO-10RF（直引线）
描述：
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

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