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PD20010TR-E

ST-意法半导体SO-10RF

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PD20010TR-E

ST/意法N

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PD20010TR-E

STMSOP-10

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STMicroelectronicsN/A

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PD20010TR-E

STMicroelectronicsN/A

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ST/意法SMD

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PD20010TR-E

ST原厂封装

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PD20010TR-E

STMicroelectronicsPowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2

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STMSOP-10

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PD20010TR-E价格

PD20010TR-E价格：￥74.0551品牌：STMicroelectronics

生产厂家品牌为STMicroelectronics的PD20010TR-E多少钱，想知道PD20010TR-E价格是多少？参考价：￥74.0551。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，PD20010TR-E批发价格及采购报价，PD20010TR-E销售排行榜及行情走势，PD20010TR-E报价。

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PD20010TR-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF power tran LdmoST N-chann RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

产品属性

  • 产品编号：

    PD20010TR-E

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频

  • 包装：

    卷带（TR）

  • 晶体管类型：

    LDMOS

  • 频率：

    2GHz

  • 增益：

    11dB

  • 额定电流（安培）：

    5A

  • 功率 - 输出：

    10W

  • 封装/外壳：

    PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）

  • 供应商器件封装：

    PowerSO-10RF（成形引线）

  • 描述：

    TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM

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