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PD20010S-E	文件：240.84 Kbytes Page：13 Pages	RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs Description ThePD20010-EisacommonsourceN-Channel,enhancement-modelateralfield-effectRFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialandindustrialapplications.Itoperatesat13.6Vincommonsourcemodeatfrequenciesofupto1GHz.PD20010-Eboaststheexcell	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
PD20010S-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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20010BQ	文件：132.59 Kbytes Page：2 Pages	1.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
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CPT20010	文件：148.7 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyORingPowerMod ●SchottkyBarrierRectifier ●GuardRingProtection ●LowForwardVoltage ●200Amperes/10to15Volts ●150°CJunctionTemperature ●ReverseEnergyTested ●ROHSCompliant	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
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产品属性

产品编号：
PD20010S-E
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
LDMOS
频率：
2GHz
增益：
11dB
额定电流（安培）：
5A
功率 - 输出：
10W
封装/外壳：
PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）
供应商器件封装：
PowerSO-10RF（直引线）
描述：
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

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