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PD20010S-E

RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs

Description The PD20010-E is a common source N-Channel, enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. It is designed for high gain, broadband commercial and industrial applications. It operates at 13.6 V in common source mode at frequencies of up to 1 GHz. PD20010-E boasts the excell

文件:240.84 Kbytes 页数:13 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

PD20010S-E

Package:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条直引线);包装:托盘 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STD-20010T

ADAPTER-18W

文件:75.61 Kbytes 页数:2 Pages

VOLGEN

T-20010

SCR Trigger and Control Transformers

文件:33.96 Kbytes 页数:1 Pages

RHOMBUS-IND

UFT20010

ULTRA FAST RECOVERY MODULES

文件:231.22 Kbytes 页数:4 Pages

MICROSEMI

美高森美

产品属性

  • 产品编号:

    PD20010S-E

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    2GHz

  • 增益:

    11dB

  • 额定电流(安培):

    5A

  • 功率 - 输出:

    10W

  • 封装/外壳:

    PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条直引线)

  • 供应商器件封装:

    PowerSO-10RF(直引线)

  • 描述:

    TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

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更多PD20010S-E供应商 更新时间2026-4-11 9:39:00