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PD20010STR-E	文件：240.84 Kbytes Page：13 Pages	RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs Description ThePD20010-EisacommonsourceN-Channel,enhancement-modelateralfield-effectRFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialandindustrialapplications.Itoperatesat13.6Vincommonsourcemodeatfrequenciesofupto1GHz.PD20010-Eboaststheexcell	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
PD20010STR-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
20010	文件：129.46 Kbytes Page：1 Pages	WihaQualityTools	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
20010BQ	文件：132.59 Kbytes Page：2 Pages	1.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司
20010HS	文件：214.4 Kbytes Page：1 Pages	2.00mmPITCHCONNECTOR	YEONHO YEONHO ELECTRONICS
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CPT20010	文件：123.85 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyORingPowerMod	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
CPT20010	文件：148.7 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyORingPowerMod ●SchottkyBarrierRectifier ●GuardRingProtection ●LowForwardVoltage ●200Amperes/10to15Volts ●150°CJunctionTemperature ●ReverseEnergyTested ●ROHSCompliant	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
GKT20010	文件：550.03 Kbytes Page：12 Pages	CERAMICDIELECTRICTRIMMERCAPACITORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
GKU20010	文件：550.03 Kbytes Page：12 Pages	CERAMICDIELECTRICTRIMMERCAPACITORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
HU20010	文件：117.14 Kbytes Page：2 Pages	UltrafastRecoveryModules UltrafastRecoveryModules •UltraFastRecovery •200Ampcurrentrating •175°CJunctionTemperature •ROHSCompliant	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
HU20010	文件：126.49 Kbytes Page：2 Pages	UltrafastrecoveryModules UltrafastRecoveryModules •UltraFastRecovery •200Ampcurrentrating •175°CJunctionTemperature •ROHSCompliant	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
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LLCC20010C	文件：351.5 Kbytes Page：2 Pages	LowLossCWDM	OPLINK Oplink Communications, LLC
LLCC20010S	文件：351.5 Kbytes Page：2 Pages	LowLossCWDM	OPLINK Oplink Communications, LLC
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MAX20010C,	文件：503.87 Kbytes Page：6 Pages	DifferentialRemote-VoltageSensing	MaximMaximIntegrated 美信半导体

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产品属性

产品编号：
PD20010STR-E
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
LDMOS
频率：
2GHz
增益：
11dB
额定电流（安培）：
5A
功率 - 输出：
10W
封装/外壳：
PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）
供应商器件封装：
PowerSO-10RF（直引线）
描述：
TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR

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