PD20010STR-E_分立半导体产品 晶体管-FETMOSFET-射频-意法半导体

原厂料号：PD20010STR-E品牌：STMicroelectronics

资料说明：TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR

PD20010STR-E是分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。制造商STMICROELECTRONICS/意法半导体生产封装PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）的PD20010STR-E晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

• 芯片型号：

  PD20010STR-E

• 规格书：

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• 企业简称：

  STMICROELECTRONICS【意法半导体】详情

• 厂商全称：

  STMicroelectronics

• 中文名称：

  意法半导体集团

• 资料说明：

  TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR