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PD20010TR-E中文资料射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power tran LdmoST N-chann数据手册ST规格书
| 厂商型号 |
PD20010TR-E |
| 参数属性 | PD20010TR-E 封装/外壳为PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM |
| 功能描述 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power tran LdmoST N-chann |
| 封装外壳 | PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线） |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-25 22:30:00 |
| 人工找货 | PD20010TR-E价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PD20010TR-E规格书详情
简介
PD20010TR-E属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PD20010TR-E晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 产品编号：
PD20010TR-E
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
LDMOS
- 频率：
2GHz
- 增益：
11dB
- 额定电流（安培）：
5A
- 功率 - 输出：
10W
- 封装/外壳：
PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
- 供应商器件封装：
PowerSO-10RF（成形引线）
- 描述：
TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NIEC |
24+ |
module |
6000 |
全新原装正品现货 假一赔佰 |
询价 | ||
NIEC |
专业模块 |
MODULE |
8513 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
询价 | ||
ST |
23+ |
原厂封装 |
13528 |
振宏微原装正品,假一罚百 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
10RF-Formed-4 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
10RF-Formed-4 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
NIEC |
23+ |
模块 |
320 |
全新原装正品,量大可订货!可开17%增值票!价格优势! |
询价 | ||
原厂 |
2023+ |
模块 |
600 |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
N |
93771 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
10RF-Formed-4 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 |
