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PBSS4160T	文件：466.31 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features LowVCE(sat),highcurrent. Applications Generalpurposeswitchingandmuting,LCDback-lighting,supplylineswitchingcircuits.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
PBSS4160T	文件：852.82 Kbytes Page：12 Pages	60V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinasmallSOT23plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5160T. 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highefficiency,reducesheatgeneration •Reducesprint	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4160T-Q	文件：257.81 Kbytes Page：12 Pages	60V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinasmallSOT23plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5160T-Q. 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highefficiency,reducesheatgeneration •Reducespri	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4160U	文件：324.89 Kbytes Page：15 Pages	60V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat Highcollectorcurrentcapability:ICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4160U	文件：211.39 Kbytes Page：14 Pages	60V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaSOT323(SC-70)SurfaceMountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS5160U. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Highcollectorcurrentcapability:ICandICM ■Highcol	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS4160V	文件：166.98 Kbytes Page：14 Pages	60V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription LowVCEsat(BISS)NPNtransistorinaSOT666plasticpackage. PNPcomplement:PBSS5160V. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Highefficiency,reducesheatgeneration ■Reducesprinted-circuitboarda	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS4160V	文件：101.42 Kbytes Page：14 Pages	60V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription LowVCEsat(BISS)NPNtransistorinaSOT666plasticpackage. PNPcomplement:PBSS5160V. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Highefficiency,reducesheatgeneration ■Reducesprinted-circuitboarda	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4160V	文件：251.89 Kbytes Page：12 Pages	60V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription LowVCEsat(BISS)NPNtransistorinaSOT666ultrasmallandflatleadSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS5160V 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4160X	文件：221.45 Kbytes Page：12 Pages	60V,1ANPNlowVCEsatBISStransistor	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PCVB-4160Y	文件：82.39 Kbytes Page：1 Pages	VoltageandSafetyMarkerBooks	PANDUITPanduit Corp Panduit公司Panduit科技有限公司	PANDUIT

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