PBSS4160V分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
PBSS4160V |
参数属性 | PBSS4160V 封装/外壳为SOT-563,SOT-666;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 60V 0.9A SOT666 |
功能描述 | 60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
丝印标识 | |
封装外壳 | SOT-666 / SOT-563,SOT-666 |
文件大小 |
101.42 Kbytes |
页面数量 |
14 页 |
生产厂商 | Philips Semiconductors |
企业简称 |
PHI【飞利浦】 |
中文名称 | 荷兰皇家飞利浦 |
原厂标识 | PHILIPS |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-4 15:14:00 |
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PBSS4160V规格书详情
General description
Low VCEsat (BISS) NPN transistor in a SOT666 plastic package.
PNP complement: PBSS5160V.
特性 Features
■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
■ High collector current capability IC and ICM
■ High efficiency, reduces heat generation
■ Reduces printed-circuit board area required
■ Cost effective replacement for medium power transistor BCP55 and BCX55
Applications
■ Major application segments:
◆ Automotive
◆ Telecom infrastructure
◆ Industrial
■ Power management:
◆ DC-to-DC conversion
◆ Supply line switching
■ Peripheral driver
◆ Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs)
◆ Inductive load driver (e.g. relays, buzzers and motors)
产品属性
- 产品编号:
PBSS4160V,115
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
250mV @ 100mA,1A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
200 @ 500mA,5V
- 频率 - 跃迁:
220MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SOT-563,SOT-666
- 供应商器件封装:
SOT-666
- 描述:
TRANS NPN 60V 0.9A SOT666
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
16+ |
SOT666 |
4000 |
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