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PBSS4160V分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

PBSS4160V
厂商型号

PBSS4160V

参数属性

PBSS4160V 封装/外壳为SOT-563,SOT-666;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 60V 0.9A SOT666

功能描述

60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

丝印标识

41

封装外壳

SOT-666 / SOT-563,SOT-666

文件大小

101.42 Kbytes

页面数量

14

生产厂商 Philips Semiconductors
企业简称

PHI飞利浦

中文名称

荷兰皇家飞利浦

原厂标识

PHILIPS

数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2025-8-4 15:14:00

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PBSS4160V规格书详情

General description

Low VCEsat (BISS) NPN transistor in a SOT666 plastic package.

PNP complement: PBSS5160V.

特性 Features

■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

■ High collector current capability IC and ICM

■ High efficiency, reduces heat generation

■ Reduces printed-circuit board area required

■ Cost effective replacement for medium power transistor BCP55 and BCX55

Applications

■ Major application segments:

◆ Automotive

◆ Telecom infrastructure

◆ Industrial

■ Power management:

◆ DC-to-DC conversion

◆ Supply line switching

■ Peripheral driver

◆ Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs)

◆ Inductive load driver (e.g. relays, buzzers and motors)

产品属性

  • 产品编号:

    PBSS4160V,115

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 100mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 500mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    220MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-563,SOT-666

  • 供应商器件封装:

    SOT-666

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 0.9A SOT666

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